近期，存儲(chǔ)行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈，促使NAND技術(shù)不斷取得突破。據(jù)韓媒ZDNet的最新報(bào)道，三星可能將在其下一代NAND閃存技術(shù)中，采用中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的混合鍵合專(zhuān)利。

據(jù)悉，三星計(jì)劃于2025年下半年啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)其V10（第10代）NAND閃存。這款新型NAND預(yù)計(jì)將達(dá)到約420至430層的堆疊高度，標(biāo)志著技術(shù)上的又一次飛躍。

報(bào)道進(jìn)一步指出，三星與SK海力士正在與長(zhǎng)江存儲(chǔ)就一項(xiàng)專(zhuān)利協(xié)議進(jìn)行深入談判。這一消息無(wú)疑引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注，因?yàn)殚L(zhǎng)江存儲(chǔ)在閃存技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新已經(jīng)取得了顯著成果。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)率先在閃存中引入了晶棧Xtacking技術(shù)，該技術(shù)通過(guò)獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路，為NAND閃存帶來(lái)了更高的I/O接口速度和更多的操作功能。這一創(chuàng)新加工方式的選擇，使得NAND閃存在性能上實(shí)現(xiàn)了顯著提升。

據(jù)知情人士透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在大約四年前就已經(jīng)在該領(lǐng)域建立了強(qiáng)大的專(zhuān)利組合。而三星之前采用的NAND生產(chǎn)技術(shù)為COP（Cell on Peripheral），即將外圍電路放置在一個(gè)晶圓上，單元堆疊在其上方。然而，隨著堆疊層數(shù)的不斷增加，特別是當(dāng)超過(guò)400層時(shí)，下層外圍電路所受的壓力增大，對(duì)可靠性造成了影響，因此急需尋找替代方案。

在混合鍵合專(zhuān)利方面，美國(guó)Xperi、長(zhǎng)江存儲(chǔ)和臺(tái)積電占據(jù)了主導(dǎo)地位。三星認(rèn)為，在下一代NAND閃存如V10、V11和V12的生產(chǎn)中，很難繞過(guò)這些現(xiàn)有專(zhuān)利。因此，選擇與長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行合作，成為了三星應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn)的重要策略。

這一合作不僅體現(xiàn)了三星對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)實(shí)力的認(rèn)可，也預(yù)示著存儲(chǔ)行業(yè)將迎來(lái)更加緊密的國(guó)際合作與技術(shù)交流。隨著NAND技術(shù)的不斷進(jìn)步，存儲(chǔ)行業(yè)的未來(lái)充滿(mǎn)了無(wú)限可能。