近期，科技巨頭三星公司在NAND Flash閃存技術(shù)領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展，成功研發(fā)出400層堆疊的NAND Flash技術(shù)，并已著手進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。這一消息標(biāo)志著三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍，也預(yù)示著NAND Flash市場(chǎng)的競(jìng)爭格局將迎來新的變化。

據(jù)悉，三星此次推出的400層堆疊NAND Flash技術(shù)，不僅在堆疊層數(shù)上遠(yuǎn)超目前市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品，如SK海力士已量產(chǎn)的321層NAND Flash，更在容量上實(shí)現(xiàn)了顯著提升。據(jù)透露，三星計(jì)劃在2025年的國際固態(tài)電路會(huì)議上，詳細(xì)介紹其1Tb容量的400層堆疊TLC NAND Flash產(chǎn)品，并有望在下半年正式投入量產(chǎn)。

市場(chǎng)觀察人士指出，三星的這一技術(shù)突破，無疑將對(duì)其在NAND Flash閃存市場(chǎng)的份額產(chǎn)生積極影響。目前，三星在全球NAND Flash閃存市場(chǎng)中占據(jù)36.9%的份額，而面對(duì)SK海力士等競(jìng)爭對(duì)手的激烈角逐，這一新技術(shù)的推出顯得尤為重要。預(yù)計(jì)隨著量產(chǎn)的推進(jìn)，三星的市場(chǎng)份額有望進(jìn)一步提升。

除了400層堆疊NAND Flash技術(shù)的研發(fā)成功，三星還計(jì)劃增加其先進(jìn)內(nèi)存產(chǎn)品線的產(chǎn)量。為此，該公司將在其平澤園區(qū)建設(shè)新的生產(chǎn)設(shè)施，專門用于生產(chǎn)第9代（286層）堆疊的NAND Flash閃存晶圓片。據(jù)預(yù)計(jì)，該設(shè)施的月產(chǎn)能將達(dá)到30000至40000片，為三星在NAND Flash市場(chǎng)的進(jìn)一步擴(kuò)張?zhí)峁┯辛χС帧?/p>

三星還在積極調(diào)整其生產(chǎn)線布局，以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求的變化。在中國西安工廠，三星正在將原本的128層堆疊（V6）NAND Flash閃存生產(chǎn)線升級(jí)為236層堆疊（V8）的生產(chǎn)線。這一舉措不僅提升了生產(chǎn)線的技術(shù)水平，也進(jìn)一步增強(qiáng)了三星在NAND Flash市場(chǎng)的競(jìng)爭力。

三星公司在NAND Flash閃存技術(shù)領(lǐng)域的這一重大突破，不僅展示了其在存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)方面的強(qiáng)大實(shí)力，也為公司在全球NAND Flash市場(chǎng)的進(jìn)一步擴(kuò)張奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。隨著新技術(shù)的量產(chǎn)和先進(jìn)生產(chǎn)線的建設(shè)，三星有望在未來的市場(chǎng)競(jìng)爭中占據(jù)更加有利的地位。