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三星400層NAND閃存技術領先!2025年或實現大規(guī)模量產

   發(fā)布時間:2024-12-09 18:39 作者:顧雨柔

近期,科技巨頭三星公司在NAND Flash閃存技術領域取得了重大進展,成功研發(fā)出400層堆疊的NAND Flash技術,并已著手進行大規(guī)模生產。這一消息標志著三星在存儲技術領域的又一次飛躍,也預示著NAND Flash市場的競爭格局將迎來新的變化。

據悉,三星此次推出的400層堆疊NAND Flash技術,不僅在堆疊層數上遠超目前市場上的主流產品,如SK海力士已量產的321層NAND Flash,更在容量上實現了顯著提升。據透露,三星計劃在2025年的國際固態(tài)電路會議上,詳細介紹其1Tb容量的400層堆疊TLC NAND Flash產品,并有望在下半年正式投入量產。

市場觀察人士指出,三星的這一技術突破,無疑將對其在NAND Flash閃存市場的份額產生積極影響。目前,三星在全球NAND Flash閃存市場中占據36.9%的份額,而面對SK海力士等競爭對手的激烈角逐,這一新技術的推出顯得尤為重要。預計隨著量產的推進,三星的市場份額有望進一步提升。

除了400層堆疊NAND Flash技術的研發(fā)成功,三星還計劃增加其先進內存產品線的產量。為此,該公司將在其平澤園區(qū)建設新的生產設施,專門用于生產第9代(286層)堆疊的NAND Flash閃存晶圓片。據預計,該設施的月產能將達到30000至40000片,為三星在NAND Flash市場的進一步擴張?zhí)峁┯辛χС帧?/p>

三星還在積極調整其生產線布局,以應對市場需求的變化。在中國西安工廠,三星正在將原本的128層堆疊(V6)NAND Flash閃存生產線升級為236層堆疊(V8)的生產線。這一舉措不僅提升了生產線的技術水平,也進一步增強了三星在NAND Flash市場的競爭力。

三星公司在NAND Flash閃存技術領域的這一重大突破,不僅展示了其在存儲技術研發(fā)方面的強大實力,也為公司在全球NAND Flash市場的進一步擴張奠定了堅實基礎。隨著新技術的量產和先進生產線的建設,三星有望在未來的市場競爭中占據更加有利的地位。

 
 
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