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三星400層NAND閃存技術(shù)領(lǐng)先!2025年或?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)

   發(fā)布時間:2024-12-09 18:39 作者:顧雨柔

近期,科技巨頭三星公司在NAND Flash閃存技術(shù)領(lǐng)域取得了重大進展,成功研發(fā)出400層堆疊的NAND Flash技術(shù),并已著手進行大規(guī)模生產(chǎn)。這一消息標志著三星在存儲技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍,也預(yù)示著NAND Flash市場的競爭格局將迎來新的變化。

據(jù)悉,三星此次推出的400層堆疊NAND Flash技術(shù),不僅在堆疊層數(shù)上遠超目前市場上的主流產(chǎn)品,如SK海力士已量產(chǎn)的321層NAND Flash,更在容量上實現(xiàn)了顯著提升。據(jù)透露,三星計劃在2025年的國際固態(tài)電路會議上,詳細介紹其1Tb容量的400層堆疊TLC NAND Flash產(chǎn)品,并有望在下半年正式投入量產(chǎn)。

市場觀察人士指出,三星的這一技術(shù)突破,無疑將對其在NAND Flash閃存市場的份額產(chǎn)生積極影響。目前,三星在全球NAND Flash閃存市場中占據(jù)36.9%的份額,而面對SK海力士等競爭對手的激烈角逐,這一新技術(shù)的推出顯得尤為重要。預(yù)計隨著量產(chǎn)的推進,三星的市場份額有望進一步提升。

除了400層堆疊NAND Flash技術(shù)的研發(fā)成功,三星還計劃增加其先進內(nèi)存產(chǎn)品線的產(chǎn)量。為此,該公司將在其平澤園區(qū)建設(shè)新的生產(chǎn)設(shè)施,專門用于生產(chǎn)第9代(286層)堆疊的NAND Flash閃存晶圓片。據(jù)預(yù)計,該設(shè)施的月產(chǎn)能將達到30000至40000片,為三星在NAND Flash市場的進一步擴張?zhí)峁┯辛χС帧?/p>

三星還在積極調(diào)整其生產(chǎn)線布局,以應(yīng)對市場需求的變化。在中國西安工廠,三星正在將原本的128層堆疊(V6)NAND Flash閃存生產(chǎn)線升級為236層堆疊(V8)的生產(chǎn)線。這一舉措不僅提升了生產(chǎn)線的技術(shù)水平,也進一步增強了三星在NAND Flash市場的競爭力。

三星公司在NAND Flash閃存技術(shù)領(lǐng)域的這一重大突破,不僅展示了其在存儲技術(shù)研發(fā)方面的強大實力,也為公司在全球NAND Flash市場的進一步擴張奠定了堅實基礎(chǔ)。隨著新技術(shù)的量產(chǎn)和先進生產(chǎn)線的建設(shè),三星有望在未來的市場競爭中占據(jù)更加有利的地位。

 
 
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