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日立新技術(shù):機(jī)器學(xué)習(xí)助力,10nm及以下半導(dǎo)體微缺陷無所遁形

   發(fā)布時(shí)間:2025-03-05 17:57 作者:陸辰風(fēng)

近日,日立公司宣布在半導(dǎo)體缺陷檢測技術(shù)上取得了重大突破。據(jù)悉,該公司研發(fā)出一種全新的高靈敏度檢測技術(shù),該技術(shù)能夠在機(jī)器學(xué)習(xí)的輔助下,精準(zhǔn)識別出尺寸小至10納米甚至更微小的缺陷。

這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)已經(jīng)在SPIE先進(jìn)光刻與圖案化2025學(xué)術(shù)會議上亮相,引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。隨著高性能芯片需求的持續(xù)增長,半導(dǎo)體制造商對生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制要求愈發(fā)嚴(yán)格。同時(shí),隨著制程技術(shù)的不斷微縮,能夠直接影響芯片性能的缺陷尺寸門檻也在不斷降低,這對缺陷檢測的靈敏度提出了前所未有的挑戰(zhàn)。日立此次推出的技術(shù),正是在這樣的背景下應(yīng)運(yùn)而生。

日立的新技術(shù)主要依賴于兩大核心組件:圖像重建對比和過度檢測抑制。在圖像重建對比方面,該技術(shù)首先通過大量包含人為添加噪點(diǎn)的缺陷圖像進(jìn)行學(xué)習(xí),以掌握微缺陷的數(shù)據(jù)特征。在實(shí)際應(yīng)用中,系統(tǒng)會對掃描電鏡拍攝的照片進(jìn)行無缺陷版本的重建,并將重建后的圖像與原始圖像進(jìn)行對比,從而準(zhǔn)確識別出缺陷所在。

而在過度檢測抑制方面,由于半導(dǎo)體制程的不斷微縮,差異化功能電路與缺陷在圖像上的界限變得愈發(fā)模糊。為此,日立的技術(shù)采用了機(jī)器學(xué)習(xí)算法對電路布局進(jìn)行分類,并根據(jù)不同電路的特征調(diào)整檢測的靈敏度。這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)有效減少了90%的過度檢測情況,大大提高了檢測的準(zhǔn)確性和效率。

日立的這一技術(shù)突破,不僅滿足了半導(dǎo)體制造商對高質(zhì)量生產(chǎn)的迫切需求,也為未來高性能芯片的研發(fā)和生產(chǎn)提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支持??梢灶A(yù)見,隨著該技術(shù)的不斷推廣和應(yīng)用,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來更加穩(wěn)健和高效的發(fā)展。

 
 
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