近日，日立公司宣布在半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)技術(shù)上取得了重大突破。據(jù)悉，該公司研發(fā)出一種全新的高靈敏度檢測(cè)技術(shù)，該技術(shù)能夠在機(jī)器學(xué)習(xí)的輔助下，精準(zhǔn)識(shí)別出尺寸小至10納米甚至更微小的缺陷。

這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)已經(jīng)在SPIE先進(jìn)光刻與圖案化2025學(xué)術(shù)會(huì)議上亮相，引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。隨著高性能芯片需求的持續(xù)增長(zhǎng)，半導(dǎo)體制造商對(duì)生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制要求愈發(fā)嚴(yán)格。同時(shí)，隨著制程技術(shù)的不斷微縮，能夠直接影響芯片性能的缺陷尺寸門檻也在不斷降低，這對(duì)缺陷檢測(cè)的靈敏度提出了前所未有的挑戰(zhàn)。日立此次推出的技術(shù)，正是在這樣的背景下應(yīng)運(yùn)而生。

日立的新技術(shù)主要依賴于兩大核心組件：圖像重建對(duì)比和過度檢測(cè)抑制。在圖像重建對(duì)比方面，該技術(shù)首先通過大量包含人為添加噪點(diǎn)的缺陷圖像進(jìn)行學(xué)習(xí)，以掌握微缺陷的數(shù)據(jù)特征。在實(shí)際應(yīng)用中，系統(tǒng)會(huì)對(duì)掃描電鏡拍攝的照片進(jìn)行無缺陷版本的重建，并將重建后的圖像與原始圖像進(jìn)行對(duì)比，從而準(zhǔn)確識(shí)別出缺陷所在。

而在過度檢測(cè)抑制方面，由于半導(dǎo)體制程的不斷微縮，差異化功能電路與缺陷在圖像上的界限變得愈發(fā)模糊。為此，日立的技術(shù)采用了機(jī)器學(xué)習(xí)算法對(duì)電路布局進(jìn)行分類，并根據(jù)不同電路的特征調(diào)整檢測(cè)的靈敏度。這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)有效減少了90%的過度檢測(cè)情況，大大提高了檢測(cè)的準(zhǔn)確性和效率。

日立的這一技術(shù)突破，不僅滿足了半導(dǎo)體制造商對(duì)高質(zhì)量生產(chǎn)的迫切需求，也為未來高性能芯片的研發(fā)和生產(chǎn)提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支持。可以預(yù)見，隨著該技術(shù)的不斷推廣和應(yīng)用，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來更加穩(wěn)健和高效的發(fā)展。