俄羅斯在高端半導(dǎo)體制造領(lǐng)域邁出了重要一步，近日宣布了其自主EUV光刻機(jī)研發(fā)計(jì)劃的具體路線圖。這項(xiàng)雄心勃勃的項(xiàng)目由俄羅斯科學(xué)院微結(jié)構(gòu)物理研究所的領(lǐng)軍人物Nikolay Chkhalo負(fù)責(zé)，旨在打造一款成本更低、生產(chǎn)更為便捷的EUV光刻機(jī)，以挑戰(zhàn)行業(yè)巨頭ASML的市場(chǎng)地位。

與ASML廣泛使用的13.5nm波長(zhǎng)EUV光刻機(jī)不同，俄羅斯計(jì)劃采用11.2nm波長(zhǎng)的激光光源。這一創(chuàng)新之舉預(yù)計(jì)能帶來(lái)20%的分辨率提升，同時(shí)簡(jiǎn)化機(jī)器設(shè)計(jì)，并顯著降低光學(xué)元件的成本。然而，由于這一波長(zhǎng)與現(xiàn)有EUV設(shè)備不兼容，俄羅斯必須從頭開始構(gòu)建一個(gè)全新的光刻生態(tài)系統(tǒng)，這無(wú)疑是一個(gè)漫長(zhǎng)且復(fù)雜的挑戰(zhàn)，預(yù)計(jì)至少需要十年時(shí)間。

Chkhalo強(qiáng)調(diào)，11.2nm波長(zhǎng)的選擇不僅帶來(lái)了技術(shù)上的優(yōu)勢(shì)，還顯著減少了光學(xué)元件的污染問(wèn)題，從而延長(zhǎng)了關(guān)鍵部件的使用壽命。俄羅斯的光刻機(jī)將采用硅基光阻劑，這種材料在更短的波長(zhǎng)下能夠展現(xiàn)出更佳的性能，為芯片制造帶來(lái)質(zhì)的飛躍。

盡管俄羅斯EUV光刻機(jī)的光源功率僅為3.6千瓦，僅為ASML設(shè)備的37%，但其性能足以滿足小規(guī)模芯片生產(chǎn)的需求。這一特點(diǎn)使得俄羅斯的光刻機(jī)在特定市場(chǎng)領(lǐng)域具有潛在的競(jìng)爭(zhēng)力，尤其是在對(duì)成本有嚴(yán)格控制要求的客戶群體中。

為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，俄羅斯需要在多個(gè)方面進(jìn)行技術(shù)更新，包括電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具、光罩?jǐn)?shù)據(jù)準(zhǔn)備、光學(xué)鄰近校正以及分辨率增強(qiáng)技術(shù)等。這些關(guān)鍵制程的改進(jìn)將確保俄羅斯的光刻機(jī)能夠在實(shí)際生產(chǎn)中達(dá)到預(yù)期的性能水平。