在本周的CFMS｜MemoryS 2025峰會(huì)上，英韌科技正式推出了其最新的固態(tài)硬盤主控產(chǎn)品——IG5222。這款主控專為消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)設(shè)計(jì)，采用了DRAM-less無(wú)獨(dú)立緩存架構(gòu)，并支持PCIe 4.0×4接口標(biāo)準(zhǔn)。

據(jù)英韌科技介紹，IG5222主控在性能、功耗和芯片面積上均實(shí)現(xiàn)了極致的優(yōu)化。其基于先進(jìn)的硬件加速技術(shù)，提供了出色的HMB性能，順序讀寫速度分別高達(dá)7400MB/s和6800MB/s，同時(shí)隨機(jī)讀寫IOPS也能達(dá)到1200K的水平。這一表現(xiàn)無(wú)疑為消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤市場(chǎng)樹(shù)立了新的標(biāo)桿。

在規(guī)范符合性方面，IG5222主控完全符合NVMe 2.0標(biāo)準(zhǔn)，并采用了英韌自研的第三代4K LDPC ECC糾錯(cuò)技術(shù)。這一技術(shù)不僅提升了數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性和可靠性，還支持TLC和QLC NAND閃存，最大容量可擴(kuò)展至8TB。IG5222的能效比相比前代產(chǎn)品提升了30%，進(jìn)一步滿足了用戶對(duì)高效能、低功耗的需求。

除了上述特性外，IG5222主控還支持DLRM動(dòng)態(tài)PCIe鏈路管理技術(shù)和DOE數(shù)據(jù)對(duì)象交換功能。這些功能的加入，使得IG5222在數(shù)據(jù)傳輸和管理方面更加靈活和高效。

在與長(zhǎng)江存儲(chǔ)X4顆粒的搭配測(cè)試中，IG5222主控在CrystalDiskMark基準(zhǔn)測(cè)試中展現(xiàn)出了優(yōu)于宣稱值的順序讀取性能。這一結(jié)果不僅驗(yàn)證了IG5222主控的卓越性能，也展示了英韌科技與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的緊密合作和協(xié)同創(chuàng)新能力。